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SOI晶圓
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產品簡介

SOI晶圓

KST公司利用獨有的生長工藝,能夠制備氧化層厚達20um的SOI(Silicon on Insulator)晶圓。除了常規的SOI晶圓之外,KST還可以根據客戶要求制作具有腔體結構的SOI晶圓(Cavity SOI)。

 

產品應用

大規模集成電路/功率器件/MEMS器件/硅光集成

 

產品規格

尺寸4inch 6inch 8inch
活性層膜厚度100nm※~200μm
面內厚度精度薄膜±15nm 厚膜±0.5μm
BOX層厚度最大 20μm

 

Thick-BOX? SOI晶圓的使用例

原廠介紹

作為日本首家設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品的公司,KST株式會社依賴領先的熱氧化技術可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產品,這些產品能夠幫助客戶開發新型光通信及MEMS器件,并能夠極大的提升量產良率。


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