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厚氧化膜晶圓
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產品簡介

厚氧化膜晶圓

 

特征

超厚的熱氧化層硅片:在平面光波導(AWG)制作過程中,處于最底層的SiO2膜被稱之為Undercladding層,它對AWG的工藝良率有至關重要的影響。KST公司生產的超厚熱氧化層硅片,由于具有優異的表面潔凈措施以及穩定的薄膜質量,占據了全球AWG市場的最大份額。

 

規格參數

項目規格
膜厚20um±5%(最大膜厚度)
面內均一性±0.5%
面間均一性±0.5%
折射率(@1550nm)1.4458±0.0001

 

標準品一覽

尺寸晶圓厚度熱氧化膜厚度
4inch525um 1mm15um、20um
6inch625um 675um 1mm15um、20um
8inch725um15um、20um
12inch775um15um

 

折射率面內分布表面粗度資料

 

原廠介紹

作為日本首家設計并加工半導體及光通信用硅晶圓以及膜產品的公司,KST株式會社依賴領先的熱氧化技術可以為客戶提供超厚氧化膜的晶圓產品,這些產品能夠幫助客戶開發新型光通信及MEMS器件,并能夠極大的提升量產良率。


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